OTP ROM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | TSOP1, TSSOP40,.8,20 |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 40 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP40,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 10 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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