2SD1269Q,2SD1269Q pdf中文资料,2SD1269Q引脚图,2SD1269Q电路-Datasheet-电子工程世界

2SD1269Q: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小90KB，共4页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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2SD1269Q概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN

	2SD1269Q	2SD1269P	2SD1269R
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	90	130	60
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	2 W	2 W	2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz	30 MHz	30 MHz
Base Number Matches	1	1	1

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