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MAR5104CB

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18
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文件大小218KB,共12页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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MAR5104CB概述

Standard SRAM, 4KX1, 135ns, CMOS, CDIP18

MAR5104CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Dynex
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间135 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
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