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2SK1461-RF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK1461-RF概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218

2SK1461-RF规格参数

参数名称属性值
Objectid1412363426
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

 
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