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BDY79R1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小12KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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BDY79R1概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

BDY79R1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	4 A
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JEDEC-95代码	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

BDY79R1相似产品对比

	BDY79R1	BDY79-QR-BR1	BDY79-QR-B	BDY79.MODR1	BDY79.MOD
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	不符合
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	120 V	120 V	120 V	120 V	120 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	25	25	25	25
JEDEC-95代码	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc	-	TT Electronics plc
JESD-609代码	e1	e1	-	e1	-
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	-	TIN SILVER COPPER	-
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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