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BC846BTR13LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共1页
制造商Central Semiconductor
标准  
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BC846BTR13LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

BC846BTR13LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW NOISE
基于收集器的最大容量2.5 pF
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
VCEsat-Max0.6 V
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