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BST51T/R

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BST51T/R概述

Transistor

BST51T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BST51T/R相似产品对比

BST51T/R BST52T/R BST50T/R
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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