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2SK1070-B

产品描述50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共1页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SK1070-B概述

50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

2SK1070-B规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.05 A
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK1070-B相似产品对比

2SK1070-B 2SK1070-C 2SK1070-D 2SK1070-E
描述 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1

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