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JAN1N985C-1

产品描述Zener Diode, 100V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小209KB,共28页
制造商Compensated Devices Inc
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JAN1N985C-1概述

Zener Diode, 100V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH,

JAN1N985C-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.48 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压100 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流1.3 mA
额外的降噪设计策略
在设计中使用噪声最小的一流 LNA。进行系统设计时,需考虑应用的真正标称温度。通过屏蔽或消除噪声源,隔离外部噪声或防止其影响接收器的性能或输入。降低直流配电电路的特性阻抗,以减少噪声耦合。避免沿信号路径直至 LNA 输入端使用产生损耗的元件。保持 LNA 输入和输出的射频阻抗,并将具有噪声的走线或电路与 LNA 或接收器路径隔离。此外,使用 GaN 而不是限幅器也有助于降低噪声,因为限幅器会给系统...
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