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2SB1180H

产品描述Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SB1180H概述

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1180H规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1
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