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2SD666A-B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小155KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SD666A-B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN

2SD666A-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

2SD666A-B相似产品对比

2SD666A-B 2SD666-B 2SD666-D 2SD666-C 2SD666A-C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 160 100 100
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.9 W 0.9 W 0.9 W 0.9 W 0.9 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1

 
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