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2SB560-D: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小101KB，共3页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SB560-D概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB560-D规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1445389945
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.7 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.9 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

2SB560-D相似产品对比

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描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	100	60	160	280	100	160	280
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	NPN	NPN	NPN	NPN	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.9 W	0.9 W	0.9 W	0.9 W	0.9 W	0.9 W	0.9 W	0.9 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Objectid	1445389945	-	-	1445389979	1445389983	1445389950	1445389955	1445389960

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