16V,200W,Surface Mount TVS, Diodes, 10×1000us, 200W, 16V, 17.8V, 19.7V, 1uA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
零件包装代码 | SOD-123FL |
包装说明 | R-PDSO-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压 | 19.7 V |
最小击穿电压 | 17.8 V |
击穿电压标称值 | 18.75 V |
最大钳位电压 | 26 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
最大正向电压 (VF) | 3.5 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 200 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 16 V |
最大反向电流 | 1 µA |
反向测试电压 | 16 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
类别 | |
Condition | 10×1000us |
PPK (W) | 200 |
VRWM (V) max. | 16 |
VBR (V) min. | 17.8 |
VBR (V) max. | 19.7 |
IR (uA) max. | 1 |
VC (V) max. | 26 |
Condition1_IPP (A) | 7.7 |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
是否无铅 | Yes |
符合Reach | Yes |
符合RoHS | Yes |
ECCN代码 | EAR99 |
Package Outlines | SOD-123FL |
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