6 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 76 mJ |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 24 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MILITARY STANDARD (USA) |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
2N6788 | JANTXV2N6788 | JANTX2N6788 | |
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描述 | 6 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 6 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 6 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 76 mJ | 76 mJ | 76 mJ |
配置 | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 6 A | 6 A | 6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω | 0.345 Ω | 0.345 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF | TO-205AF | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 24 A | 24 A | 24 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MILITARY STANDARD (USA) | MIL-19500/555 | MIL-19500/555 |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
零件包装代码 | - | BCY | BCY |
针数 | - | 2 | 2 |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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