FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | DALLAS |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 7.14 MHz |
| 周期时间 | 140 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 73728 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| DS2013D-120 | DS2013DN-50 | DS2013D-65 | DS2013D-50 | DS2013D-80 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, | FIFO, 8KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, | FIFO, 8KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, | FIFO, 8KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, | FIFO, 8KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | DALLAS | DALLAS | DALLAS | DALLAS | DALLAS |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow |
| 最长访问时间 | 120 ns | 50 ns | 65 ns | 50 ns | 80 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 7.14 MHz | 15.38 MHz | 12.5 MHz | 15.38 MHz | 10 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bi |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 周期时间 | 140 ns | - | 80 ns | 65 ns | 100 ns |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
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