Cache SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
| 长度 | 17.907 mm |
| 内存密度 | 73728 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.5 mm |
| CY7C182-20VCT | CY7C182-25VCR | CY7C182-20VCR | CY7C182-35VCR | CY7C182-45VCR | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 零件包装代码 | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, | SOJ, | SOJ, | SOJ, | SOJ, |
| 针数 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 20 ns | 25 ns | 20 ns | 35 ns | 45 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 |
| 长度 | 17.907 mm | 17.907 mm | 17.907 mm | 17.907 mm | 17.907 mm |
| 内存密度 | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bit | 73728 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 | 8KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 3.556 mm | 3.556 mm | 3.556 mm | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | - | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
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