Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS7C331MPFD18A-166BC

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AS7C331MPFD18A-166BC: 产品描述Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, BGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小571KB，共24页; 制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]

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AS7C331MPFD18A-166BC概述

Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

AS7C331MPFD18A-166BC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.4 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

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April 2004

AS7C331MPFD18A

3.3V 1M x 18 pipelined burst synchronous SRAM

Features

•

Organization: 1,048,576 x18 bits

Fast clock speeds to 166MHz in LVTTL/LVCMOS

Fast clock to data access: 3.4/3.8 ns

Fast OE access time: 3.4/3.8 ns

Fully synchronous register-to-register operation

Dual-cycle deselect

• Single-cycle deselect also available (AS7C331MPFS18A,

AS7C33512PFS32A/ AS7C33512PFS36A)

• Asynchronous output enable control

• Available 100-pin TQFP and 165-ball BGA packages

• Byte write enables

•

Multiple chip enables for easy expansion

3.3 V core power supply

2.5 V or 3.3V I/O operation with separate V

DDQ

Linear or interleaved burst control

Snooze mode for reduced power-standby

Boundary scan using IEEE 1149.1 JTAG function

NTD™

pipelined architecture available (AS7C331MNTD18A,

AS7C33512NTD32A/ AS7C33512NTD36A)

1 NTD™ is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All trademarks

mentioned in this document are the property of their respective owners

Logic block diagram

LBO

CLK

ADV

ADSC

ADSP

A[19:0]

CLK

CLR

Burst logic

18 20

Address

1M x 18

Memory

array

CLK

GWE

BWE

CE0

CE1

CE2

Byte Write

registers

Byte Write

registers

CLK

Enable

CLK

DQa

DQb

CLK

Output

registers

CLK

Input

registers

CLK

Power

down

Enable

CLK

delay

DQ[a,b]

Selection guide

-166

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

Maximum CMOS standby current (DC)

166

3.4

290

-133

7.5

133

3.8

270

Units

MHz

4/12/04, v 1.0

Alliance Semiconductor

1 of 24

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	AS7C331MPFD18A-166BC	AS7C331MPFD18A-166BIN	AS7C331MPFD18A-133BIN	AS7C331MPFD18A-133BCN	AS7C331MPFD18A-133BC	AS7C331MPFD18A-133BI	AS7C331MPFD18A-166BI	AS7C331MPFD18A-166BCN
描述	Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	Standard SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.4 ns	3.4 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.4 ns	3.4 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	166 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e0	e0	e0	e3/e6
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.29 mA	0.29 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.29 mA	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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