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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1699-AZ
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2SD1699-AZ

产品描述2SD1699-AZ
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小317KB，共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SD1699-AZ概述

2SD1699-AZ

2SD1699-AZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
零件包装代码POMM
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
制造商包装代码PLZZ0004CC-A3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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描述 2SD1699-AZ TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 2SD1699-T1-AZ TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 2SD1699-T2-AZ TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,80V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-89
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 4000 4000 4000 4000 8000 8000 4000 4000
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1

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