Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| 参数名称 | 属性值 |
| Objectid | 1454195177 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-XSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 0 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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