L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
L波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | DFM |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | SOT975C |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.1 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 225 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
BLF6G38-10G,112 | BLF6G38-10G,118 | |
---|---|---|
描述 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
Brand Name | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | DFM | DFM |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 |
针数 | 2 | 2 |
制造商包装代码 | SOT975C | SOT975C |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.1 A | 3.1 A |
最大漏极电流 (ID) | 3.1 A | 3.1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F2 | R-CDFP-F2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 225 °C | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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