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NAND08GR3B4CZL6E

产品描述1MX8 FLASH 1.8V PROM, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LGA-52
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文件大小1MB,共69页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND08GR3B4CZL6E概述

1MX8 FLASH 1.8V PROM, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LGA-52

NAND08GR3B4CZL6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码LGA
包装说明VBGA, LGA52(UNSPEC)
针数52
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B52
JESD-609代码e3/e4
长度17 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8K
端子数量52
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VBGA
封装等效代码LGA52(UNSPEC)
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度0.65 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位NO
宽度12 mm

 
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