电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SD668C

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD668C概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN

2SD668C规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SIP
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

2SD668C相似产品对比

2SD668C 2SD668AB 2SD668B 2SD668D
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126MOD, 3 PIN
零件包装代码 SIP SIP SIP SIP
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 120 V 160 V 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 60 60 160
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 503  695  873  1351  1645 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved