N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
| 参数名称 | 属性值 |
| Source Url Status Check Date | 2013-06-14 00:00:00 |
| Brand Name | NXP Semiconduc |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | SOT96-1 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| PSMN085-150K,118 | PSMN085-150K,518 | PSMN085-150K | |
|---|---|---|---|
| 描述 | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | compli | compli |
| Brand Name | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | - |
| 制造商包装代码 | SOT96-1 | SOT96-1 | - |
| 包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | PLASTIC, SO-8 |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 150 V | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 3.5 A | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.085 Ω | 0.085 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | - | MS-012AA | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | - | e4 | e4 |
| 湿度敏感等级 | - | 2 | 2 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 8 | 8 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 3.5 W | 3.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 40 A | 40 A |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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