N-channel TrenchMOS standard level FET
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconduc |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | SOT96-1 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 65 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 11.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 11.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.028 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 8.9 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| PHK12NQ10T,518 | PHK12NQ10T,118 | PHK12NQ10T | |
|---|---|---|---|
| 描述 | N-channel TrenchMOS standard level FET | N-channel TrenchMOS standard level FET | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| Brand Name | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | - |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 制造商包装代码 | SOT96-1 | SOT96-1 | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 65 mJ | - | 65 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 11.6 A | - | 11.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 11.6 A | - | 11.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.028 Ω | - | 0.028 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA | - | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级 | 2 | - | 2 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 8.9 W | - | 8.9 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | - | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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