512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 最小工作温度 | -55 Cel |
| 最大工作温度 | 125 Cel |
| 额定供电电压 | 5 V |
| 最小供电/工作电压 | 4.5 V |
| 最大供电/工作电压 | 5.5 V |
| 加工封装描述 | 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
| 状态 | Transferred |
| ype | NOR TYPE |
| sub_category | Flash Memories |
| ccess_time_max | 90 ns |
| data_polling | YES |
| jesd_30_code | S-CPGA-P66 |
| jesd_609_code | e0 |
| 存储密度 | 1.68E7 bi |
| 内存IC类型 | FLASH MODULE |
| 备用存储器宽度 | 16 |
| moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
| umber_of_sectors_size | 32 |
| 位数 | 524288 words |
| 位数 | 512K |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512KX32 |
| 包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| ckage_code | PGA |
| ckage_equivalence_code | PGA66,11X11 |
| 包装形状 | SQUARE |
| 包装尺寸 | GRID ARRAY |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
| wer_supplies__v_ | 5 |
| gramming_voltage__v_ | 5 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| screening_level | 38535Q/M;38534H;883B |
| seated_height_max | 4.6 mm |
| sector_size__words_ | 16K |
| standby_current_max | 0.0065 Am |
| 最大供电电压 | 0.2400 Am |
| 表面贴装 | NO |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子涂层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子间距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
| ggle_bi | NO |
| length | 27.3 mm |
| width | 27.3 mm |
| dditional_feature | USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 |
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