512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
最小工作温度 | -55 Cel |
最大工作温度 | 125 Cel |
额定供电电压 | 5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
加工封装描述 | 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
状态 | Transferred |
ype | NOR TYPE |
sub_category | Flash Memories |
ccess_time_max | 90 ns |
data_polling | YES |
jesd_30_code | S-CPGA-P66 |
jesd_609_code | e0 |
存储密度 | 1.68E7 bi |
内存IC类型 | FLASH MODULE |
备用存储器宽度 | 16 |
moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
umber_of_sectors_size | 32 |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 512KX32 |
包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
ckage_code | PGA |
ckage_equivalence_code | PGA66,11X11 |
包装形状 | SQUARE |
包装尺寸 | GRID ARRAY |
串行并行 | PARALLEL |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
wer_supplies__v_ | 5 |
gramming_voltage__v_ | 5 |
qualification_status | COMMERCIAL |
screening_level | 38535Q/M;38534H;883B |
seated_height_max | 4.6 mm |
sector_size__words_ | 16K |
standby_current_max | 0.0065 Am |
最大供电电压 | 0.2400 Am |
表面贴装 | NO |
工艺 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子间距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
ggle_bi | NO |
length | 27.3 mm |
width | 27.3 mm |
dditional_feature | USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 |
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