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HY57V56420AT-6

产品描述Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY57V56420AT-6概述

Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V56420AT-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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HY57V56420A
4 Banks x 16M x 4Bit Synchronous DRAM
DESCRIPTION
The Hyundai HY57V56420A is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which
require large memory density and high bandwidth. HY57V56420A is organized as 4banks of 16,777,216x4.
HY57V56420A is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchronized
with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output voltage
levels are compatible with LVTTL.
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated by
a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of read or
write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst read or
write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)
FEATURES
Single 3.3±0.3V power supply
All device pins are compatible with LVTTL interface
JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm of pin
pitch
All inputs and outputs referenced to positive edge of system
clock
Data mask function by DQM
Internal four banks operation
Auto refresh and self refresh
8192 refresh cycles / 64ms
Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst
Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks
ORDERING INFORMATION
Part No.
HY57V56420AT-6
HY57V56420AT-H
HY57V56420AT-8
HY57V56420AT-P
HY57V56420AT-S
HY57V56420AT-10
HY57V56420ALT-6
HY57V56420ALT-H
HY57V56420ALT-8
HY57V56420ALT-P
HY57V56420ALT-S
HY57V56420ALT-10
Clock Frequency
166MHz
133MHz
125MHz
Power
Organization
Interface
Package
Normal
100MHz
100MHz
100MHz
4Banks x 16Mbits x4
166MHz
133MHz
125MHz
Low power
100MHz
100MHz
100MHz
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of
circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.1/Dec.99

HY57V56420AT-6相似产品对比

HY57V56420AT-6 HY57V56420ALT-6 HY57V56420AT-10 HY57V56420ALT-10
描述 Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54 54 54
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 8 ns 8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 166 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX4 64MX4 64MX4 64MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.21 mA 0.21 mA 0.21 mA 0.21 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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