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HYM532210ATE-70

产品描述Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小55KB,共1页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM532210ATE-70概述

Fast Page DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72

HYM532210ATE-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
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