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2SJ266DR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SJ266DR概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ266DR规格参数

参数名称属性值
Objectid1454194472
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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