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BD136-16LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小341KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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BD136-16LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

BD136-16LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SIP
包装说明TO-126, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz

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BD136
BD138
BD140
SILICON
PNP TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD136, BD138,
and BD140 are silicon PNP epitaxial planar transistors
designed for audio amplifier and switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-126 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Continuous Collector Current
IC
Peak Collector Current
ICM
Continuous Base Current
IB
Peak Base Current
IBM
Power Dissipation (Tmb<70°C)
PD
Power Dissipation (TA=25°C)
PD
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
Thermal Resistance
Θ
Jmb
Thermal Resistance
Θ
JA
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
ICBO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
BD136
45
45
BD138
BD140
60
100
60
80
5.0
1.5
2.0
0.5
1.0
8.0
1.25
-65 to +150
10
100
UNITS
V
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
VCB=30V
VCB=30V (TC=125°C)
VEB=5.0V
IC=30mA (BD136)
45
IC=30mA (BD138)
60
IC=30mA (BD140)
80
IC=500mA, IB=50mA
VCE=2.0V, IC=500mA
VCE=2.0V, IC=5.0mA
40
VCE=2.0V, IC=150mA
63
VCE=2.0V, IC=500mA
25
VCE=5.0V, IC=50mA, f=100MHz
160
BD136-10
BD138-10
BD140-10
MIN
MAX
63
160
MAX
100
10
100
0.5
1.0
250
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
MHz
SYMBOL
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=2.0V, IC=150mA
BD136-16
BD138-16
BD140-16
MIN
MAX
100
250
R3 (13-March 2014)

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