RFG45N06LE,RFG45N06LE pdf中文资料,RFG45N06LE引脚图,RFG45N06LE电路-Datasheet-电子工程世界

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RFG45N06LE: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小294KB，共12页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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RFG45N06LE概述

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

RFG45N06LE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	45 A
最大漏极电流 (ID)	45 A
最大漏源导通电阻	0.028 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	142 W
最大功率耗散 (Abs)	142 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	185 ns
最大开启时间（吨）	215 ns

RFG45N06LE相似产品对比

	RFG45N06LE	RF1S45N06LE	RFP45N06LE
描述	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Harris	Harris	Harris
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	45 A	45 A	45 A
最大漏极电流 (ID)	45 A	45 A	45 A
最大漏源导通电阻	0.028 Ω	0.028 Ω	0.028 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247	TO-262AA	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	IN-LINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	142 W	142 W	142 W
最大功率耗散 (Abs)	142 W	142 W	142 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	185 ns	185 ns	185 ns
最大开启时间（吨）	215 ns	215 ns	215 ns

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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