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PTVS6V0S1UR,115

产品描述400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小111KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PTVS6V0S1UR,115概述

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

400 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管

PTVS6V0S1UR,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOD-123
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
制造商包装代码SOD123W
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.37 V
最小击穿电压6.67 V
击穿电压标称值7.02 V
最大钳位电压10.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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