100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
100 mA, 50 V, 2 通道, PNP, 硅, 小信号晶体管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
针数 | 6 |
制造商包装代码 | SOT363 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PUMB13,115 | PEMB13,115 | PEMB13/A2,115 | |
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描述 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
元件数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 | 6 |
表面贴装 | YES | YES | Yes |
端子形式 | GULL WING | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Brand Name | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | - |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | - |
零件包装代码 | TSSOP | SOT | - |
包装说明 | PLASTIC, SC-88, 6 PIN | PLASTIC PACKAGE-6 | - |
针数 | 6 | 6 | - |
制造商包装代码 | SOT363 | SOT666 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | - |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | - |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | - |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 | - |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-F6 | - |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED | - |
极性/信道类型 | PNP | PNP | - |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED | - |
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