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JAN2N6676

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-204AA, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小172KB,共3页
制造商Cobham PLC
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JAN2N6676概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-204AA, 2 PIN

JAN2N6676规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)15 MHz

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NPN High Power Silicon Transistors
2N6676 & 2N6678
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/538
TO-3 (TO-204AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +25 °C (1)
@ TA = +25 °C
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VCBX
VEBO
IB
IC
PT
Top, Tstg
6.0(2)
175
2N6676
300
450
450
8.0
5.0
15
3.0(3)
175
2N6678
400
650
650
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
°C
-65 to +200
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly @ 1.0 mW/°C for TA > +25°C
2) Derate linearly @ 34.2 mW/°C for TA > +25°C
3) Derate linearly @ 17.1 mW/°C for TA > +25°C
Symbol
R
θJC
Maximum
1.0
Units
°C/W
Electrical Characteristics
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 200 mAdc
2N6676
2N6678
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 450 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
VCE = 650 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 7.0 Vdc
Collector - Base Cutoff Current
VCB = 450 Vdc
VCB = 650 Vdc
2N6676
2N6678
2N6676
2N6678
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
300
400
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEX
0.1
0.1
2.0
1.0
1.0
Adc
IEBO
ICBO
---
---
---
mAdc
mAdc
Revision Date: 8/5/2012
1
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