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PUMD9,135

产品描述100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小920KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PUMD9,135概述

100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 50 V, 2 通道, NPN和PNP, 硅, 小信号晶体管

PUMD9,135规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TSSOP
包装说明PLASTIC, UMT6, SC-88, 6 PIN
针数6
制造商包装代码SOT363
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PEMD9; PUMD9
NPN/PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k, R2 = 47 k
Rev. 6 — 22 November 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted
Device (SMD) plastic packages.
Table 1.
Product overview
Package
NXP
PEMD9
PUMD9
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
PNP/PNP
complement
PEMB9
PUMB9
NPN/NPN
complement
PEMH9
PUMH9
Package
configuration
ultra small and flat
lead
very small
Type number
1.2 Features and benefits
100 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduces pick and place costs
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Low current peripheral driver
Control of IC inputs
Replaces general-purpose transistors in digital applications
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
O
R1
R2/R1
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
output current
bias resistor 1 (input)
bias resistor ratio
Conditions
open base
Min
-
-
7
3.7
Typ
-
-
10
4.7
Max
50
100
13
5.7
Unit
V
mA
k
Per transistor; for the PNP transistor (TR2) with negative polarity

PUMD9,135相似产品对比

PUMD9,135 PEMD9,315 PEMD9,115 PUMD9,115 PUMD9,165
描述 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Brand Name NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 TSSOP SOT SOT TSSOP TSSOP
针数 6 6 6 6 6
制造商包装代码 SOT363 SOT666 SOT666 SOT363 SOT363
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
包装说明 PLASTIC, UMT6, SC-88, 6 PIN - PLASTIC PACKAGE-6 PLASTIC, UMT6, SC-88, 6 PIN PLASTIC, SC-88, 6 PIN
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 - BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 - 100 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 - R-PDSO-F6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 - 1 1 1
元件数量 2 - 2 2 2
端子数量 6 - 6 6 6
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED 260 260
极性/信道类型 NPN AND PNP - NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - FLAT GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - NOT SPECIFIED 40 40
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
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