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JANSR2N7438: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小89KB，共9页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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JANSR2N7438概述

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANSR2N7438规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	7 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	21 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/658
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

JANSR2N7438相似产品对比

	JANSR2N7438	JANSR2N7430T1
描述	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	7 A	70 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.012 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-254AA
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	SQUARE
封装形式	CYLINDRICAL	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	21 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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