PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconduc |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-236 |
| 包装说明 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT23 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| PDTA144WT,215 | PDTA144WU,115 | PDTA144WM,315 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm |
| Brand Name | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc | NXP Semiconduc |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-236 | SC-70 | DFN |
| 包装说明 | PLASTIC PACKAGE-3 | PLASTIC, SC-70, 3 PIN | PLASTIC, 1.0 MM X 0.6 MM, 0.5 MM HEIGHT, SC-101, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT23 | SOT323 | SOT883 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 60 | 60 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W | 0.2 W | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
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