100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
100 mA, 50 V, NPN, 硅, 小信号晶体管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT883 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PDTC114EM,315 | PDTC114EU/S911,115 | PDTC114EU/DG/B2,11 | PDTC114EU,115 | PDTC114EU,135 | PDTC114EU/A2,115 | |
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描述 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli | compli | - |
元件数量 | 1 | 1 | - | 1 | - | 1 |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | - | Yes |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON | - | SILICON |
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