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NAND01GR3A3BZA1E

产品描述128MX8 FLASH 1.8V PROM, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
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文件大小150KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND01GR3A3BZA1E概述

128MX8 FLASH 1.8V PROM, 15000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63

NAND01GR3A3BZA1E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间15000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30

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