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PZT2222A/G,115

产品描述600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PZT2222A/G,115概述

600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

600 mA, 40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

PZT2222A/G,115规格参数

参数名称属性值
端子数量4
晶体管极性NPN
最大导通时间35 ns
最大关断时间250 ns
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述PLASTIC, SC-73, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数75
额定交叉频率300 MHz

PZT2222A/G,115相似产品对比

PZT2222A/G,115 PZT2222A,115 PZT2222A,135 PZT2222A
描述 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 600 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
表面贴装 Yes YES YES YES
端子数量 4 4 4 -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
元件数量 1 1 1 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
是否Rohs认证 - 符合 符合 不符合
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code - compli compli unknow
最大集电极电流 (IC) - 0.6 A 0.6 A 0.6 A
配置 - SINGLE SINGLE Single
最小直流电流增益 (hFE) - 75 75 100
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 - NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) - 1.15 W 1.15 W 1.5 W
标称过渡频率 (fT) - 300 MHz 300 MHz 300 MHz

 
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