DIODE UHF BAND, 17.75 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Variable Capacitance Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | R-PDSO-G2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | CAPACITANCE MATCHED TO 3% FOR ANY TWO DIODES |
最小击穿电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 9.85% |
最小二极管电容比 | 8 |
标称二极管电容 | 17.75 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.01 µA |
反向测试电压 | 30 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
BB515 | BB515-T | |
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描述 | DIODE UHF BAND, 17.75 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Variable Capacitance Diode | DIODE UHF BAND, 17.75 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Variable Capacitance Diode |
包装说明 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
针数 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | CAPACITANCE MATCHED TO 3% FOR ANY TWO DIODES | CAPACITANCE MATCHED TO 3% FOR ANY TWO DIODES |
最小击穿电压 | 30 V | 30 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管电容容差 | 9.85% | 9.85% |
最小二极管电容比 | 8 | 8 |
标称二极管电容 | 17.75 pF | 17.75 pF |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 | R-PDSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.01 µA | 0.01 µA |
反向测试电压 | 30 V | 30 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
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