PBSS8110Y,115,PBSS8110Y,115 pdf中文资料,PBSS8110Y,115引脚图,PBSS8110Y,115电路-Datasheet-电子工程世界

PBSS8110Y,115: 产品描述1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小164KB，共13页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PBSS8110Y,115概述

1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

1000 mA, 100 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

	PBSS8110Y,115	PBSS8110Y
描述	1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	TSSOP	SC-88
包装说明	PLASTIC, SC-88, 6 PIN	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数	6	6
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	150	150
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.625 W	0.625 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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