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PBSS4220V,115

产品描述20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小164KB,共13页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PBSS4220V,115概述

20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

PBSS4220V,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT
包装说明PLASTIC PACKAGE-6
针数6
制造商包装代码SOT666
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)210 MHz

PBSS4220V,115相似产品对比

PBSS4220V,115 PBSS4220V
描述 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 PLASTIC PACKAGE-6 PLASTIC PACKAGE-6
针数 6 6
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 220
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.9 W 0.9 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 210 MHz 210 MHz
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