20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | PLASTIC PACKAGE-6 |
针数 | 6 |
制造商包装代码 | SOT666 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 20 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 210 MHz |
PBSS4220V,115 | PBSS4220V | |
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描述 | 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor | 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | PLASTIC PACKAGE-6 | PLASTIC PACKAGE-6 |
针数 | 6 | 6 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 2 A | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 | 220 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 6 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W | 0.9 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 210 MHz | 210 MHz |
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