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RF1K49156

产品描述6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小903KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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RF1K49156概述

6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

RF1K49156规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
其他特性MEGAFET
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)6.3 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

RF1K49156相似产品对比

RF1K49156 RF1K4915696
描述 6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA 6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 MEGAFET MEGAFET
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 6.3 A 6.3 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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