6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | MEGAFET |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.03 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MS-012AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
RF1K49156 | RF1K4915696 | |
---|---|---|
描述 | 6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA | 6.3A, 30V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | MEGAFET | MEGAFET |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 6.3 A | 6.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.03 Ω | 0.03 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MS-012AA | MS-012AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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