12A, 400V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 400 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-218AC |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 24 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 950 ns |
| 最大开启时间（吨） | 200 ns |
| RFH12N40 | RFH12N35 | |
|---|---|---|
| 描述 | 12A, 400V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,12A I(D),TO-218AC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 12 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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