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BST52,135

产品描述1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BST52,135概述

1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA

1000 mA, 80 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-243AA

BST52,135规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT-89
包装说明PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN
针数3
制造商包装代码SOT89
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JEDEC-95代码TO-243AA
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)1500 ns
最大开启时间(吨)400 ns
VCEsat-Max1.3 V

BST52,135相似产品对比

BST52,135 BST50,115 BST51,115 BST51,135 BST52,115
描述 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA
Brand Name NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89
包装说明 PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3
制造商包装代码 SOT89 SOT89 SOT89 SOT89 SOT89
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 45 V 60 V 60 V 80 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000 2000 2000 2000
JEDEC-95代码 TO-243AA TO-243AA TO-243AA TO-243AA TO-243AA
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
最大关闭时间(toff) 1500 ns 1500 ns 1500 ns 1500 ns 1500 ns
最大开启时间(吨) 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns
VCEsat-Max 1.3 V 1.3 V 1.3 V - 1.3 V

 
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