电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BCX70J,235

产品描述100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BCX70J,235概述

100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

100 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BCX70J,235规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-236
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)800 ns
最大开启时间(吨)150 ns
VCEsat-Max0.55 V
Base Number Matches1

BCX70J,235相似产品对比

BCX70J,235 BCX70J,215 BCX70J,185 BCX70K,215 BCX70G,215 BCX70H,235
描述 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Brand Name NXP Semiconduc NXP Semiconduc - NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-236 TO-236 - TO-236 TO-236 TO-236
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 - 3 3 3
制造商包装代码 SOT23 SOT23 - SOT23 SOT23 SOT23
Reach Compliance Code compli compli - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A - 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V - 45 V 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 90 - 100 50 70
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB - TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 - e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN - NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.3 W - 0.3 W 0.3 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 - 40 40 40
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 250 MHz
最大关闭时间(toff) 800 ns 800 ns - 800 ns 800 ns 800 ns
最大开启时间(吨) 150 ns 150 ns - 150 ns 150 ns 150 ns
VCEsat-Max 0.55 V 0.55 V - 0.55 V 0.55 V 0.55 V
Base Number Matches 1 1 - - 1 1
ufun初次上电
拿到板子有段时间了,一直没时间发个帖子,今天说一下第一次上电的情况第一次烧写了demo程序,用的是SWD调试,下载完成后按复位键程序一直未运行,忽然发现BOOT0,BOOT1的拨码开关为设置。在应用Keil5.16打开DEMO程序时报错:[color=#555555][size=3]Error: L6411E: No compatible library exists with a definit...
xiayichuyang stm32/stm8
在KEIL C51 中 C语言里加入汇编语言
1.通过使用预处理指令#asm 和#endasm来使用汇编语言。用户编写的汇编语言可以紧跟在#asm之后,而在#endasm之前结束。如下所示:# asm/*汇编源程序*/# endasm在#asm和#endasm之间的语句将作为汇编语言的语句输出到由编译器产生的汇编语言文件中。2.通过使用预处理指令# pragma asm和函数_asm()来使用汇编语言。在程序的开头加上预处理指令#pragma...
songbo 51单片机
带着我的探索者I号,前来报到了!
看到论坛上KDY大师扛起了大旗,没啥说的,报名啊,审核通过,板子终于发来了![[i] 本帖最后由 ydcman 于 2013-6-20 20:30 编辑 [/i]]...
ydcman FPGA/CPLD
需要设计一个信号产生电路!
需要设计一个信号产生电路,频率为20M,低电平为4V,高电平在20V到50V之间可以调节,望各位高手赐教...
linda_xia 模拟电子
苹果市值已破万亿 但华尔街预测还将继续上涨
[align=left][color=#000][font=Arial, Verdana, sans-serif][size=13.3333px][font=宋体][size=4] 科技讯 北京时间8月4日上午音讯,苹果股价周五小幅上涨,但其市值依然与一天前刚刚打破的1万亿美圆大关十分接近。不过,华尔街剖析师估计,该股还有更大上涨空间。[/size][/font][/size][/font][/c...
tlyl18108837711 综合技术交流
MCU外扩SRAM的一种新方法
[size=4]大部分MCU的片上SRAM资源都非常有限,只有几十KB,有256KB的已经非常奢侈。SRAM由于速度比NAND或NOR 闪存的速度快很多,也不存在读写寿命限制问题,因此作为高速数据存储无可取代。[/size][size=4][/size][size=4]然而,由于MCU的管脚数量有限,一个并行接口的SRAM、或SDRAM却需要3~40个封装管脚,所以很多MCU并不具备外扩SRAM的...
fish001 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 23  116  470  731  1588 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved