Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC850BW,115

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BC850BW,115: 产品描述100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小123KB，共7页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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BC850BW,115概述

100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

BC850BW,115规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	NXP Semiconduc
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	SOT323
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	3 pF
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.6 V
Base Number Matches	1

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DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

dbook, halfpage

M3D102

BC849W; BC850W

NPN general purpose transistors

Product data sheet

Supersedes data of 1997 Jun 20

1999 Apr 12

BC850BW,115相似产品对比

	BC850BW,115	BC849BW,115	BC849BW,135	BC849CW,115	BC849CW,135	BC849CW/DG,115	BC849CW/DG,135	BC850BW,135	BC850CW,115	BC850CW,135
描述	100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	Yes	Yes	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	双	双	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	放大器	放大器	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	硅	硅	SILICON	SILICON	SILICON
Brand Name	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	-	-	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconductor
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	-	-	符合	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	-	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-70	SC-70	SC-70	SC-70	SC-70	-	-	SC-70	SC-70	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	3	-	-	3	3	3
制造商包装代码	SOT323	SOT323	SOT323	SOT323	SOT323	-	-	SOT323	SOT323	SOT323
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	-	-	compli	compli	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	-	-	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	3 pF	3 pF	3 pF	3 pF	3 pF	-	-	3 pF	3 pF	3 pF
集电极-发射极最大电压	45 V	30 V	30 V	30 V	30 V	-	-	45 V	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	200	200	420	420	-	-	200	420	420
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	-	-	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	-	-	1	1	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	-	-	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	-	-	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	-	-	40	40	40
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	-	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	0.6 V	-	-	0.6 V	0.6 V	0.6 V
Base Number Matches	1	-	-	1	1	-	-	1	1	1

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