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BUK9640-100A,118

产品描述N-channel TrenchMOS logic level FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小195KB,共13页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BUK9640-100A,118概述

N-channel TrenchMOS logic level FET

BUK9640-100A,118规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码D2PAK
包装说明PLASTIC, D2PAK-3
针数3
制造商包装代码SOT404
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)182 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)39 A
最大漏极电流 (ID)39 A
最大漏源导通电阻0.043 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)158 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)159 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK9640-100A,118相似产品对比

BUK9640-100A,118 BUK9640-100A
描述 N-channel TrenchMOS logic level FET 39 A, 100 V, 0.043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 PLASTIC, D2PAK-3 PLASTIC, D2PAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 182 mJ 182 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 39 A 37 A
最大漏极电流 (ID) 39 A 39 A
最大漏源导通电阻 0.043 Ω 0.043 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 245
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 158 W 138 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 159 A 159 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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