MVSMBGP6KE160CE3TR,MVSMBGP6KE160CE3TR pdf中文资料,MVSMBGP6KE160CE3TR引脚图,MVSMBGP6KE160CE3TR电路-Datasheet-电子工程世界

MVSMBGP6KE160CE3TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小216KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MVSMBGP6KE160CE3TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-215AA
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	176 V
最小击穿电压	144 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	130 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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